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三菱電機投資氧化鎵功率半導體

作者:時間:2024-04-03來源:集邦化合物半導體收藏

3月26日,在三菱電機舉辦的主題為可持續發展倡議在線會議上,三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的(Ga2O3)進行投資研發。與主要用于電動汽車(xEV)的碳化硅(SiC)相比,三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。

本文引用地址:http://www.casasmaravilha.com/article/202404/457152.htm

三菱電機表示,2024年~2030年,公司將投入約9000億日元(折合人民幣約430億元)用于碳化硅、等下一代、材料和產品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發。

據了解,2023年7月,該公司宣布已投資Novel Crystal Technology(NCT),后者是一家生產用于襯底和外延片的公司。三菱電機的功率半導體設計和制造技術將與NCT的氧化鎵晶圓技術相結合。

在這次會議上,三菱電機明確表示將投資并開始全面研發氧化鎵功率半導體。與碳化硅和氮化鎵(GaN)相比,氧化鎵具有更高的帶隙能量,在電力基礎設施、可再生能源和鐵路等需要特別高耐壓的應用中很有前途。

三菱電機還在努力增加用于器件制造的碳化硅襯底的尺寸。2023年5月,公司宣布將與美國相干(Coherent)公司共同開發尺寸為8英寸(200mm)的碳化硅襯底。

在這次發布會上,三菱電機總裁Kei Urushima表示,聯合開發將以"從Coherent接收襯底,采用我們的技術,然后將其返還給Coherent"的形式進行。

近年來三菱電機一直在向Coherent采購6英寸(150mm)碳化硅襯底。2023年10月,三菱電機和電裝公司宣布將共同向從Coherent分拆出來的碳化硅業務公司各投資5億美元,總計10億美元(折合人民幣約72億元)。




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